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建立獨立自主的技術研發體。

越南戰爭爆發，米國開始扶持韓國人。

1969-1980年，十年時間初步建設韓國半導體工業體系，完成對國際平均水平的追趕。

1980-1986年，韓國人通過對國內市場的保護，完成企業本土化的過程。

1986-1997年的第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭，在米國人的傾力扶持下，韓國人全面崛起為全球半導體大國。1998-2010年的第三次DRAM世界大戰-韓臺半導體戰爭，韓國人完成了核心技術的“米國基因”轉型為“獨立自主基因”。

自此，韓國成為僅次于米國的全球半導體強國。

韓國半導體工業起步最早源于日本人的幫助。

1969年，日本東芝幫助韓國人建設晶圓廠。同年，三星通過為三洋代工12英寸黑白電視機、洗衣機、冰箱等產品，第一次進入半導體電子產業。

1975年在三洋完成對三星的技術轉移后，韓國政府修改外資投資法規，堅持不對合資企業開放本國市場，最終迫使日本三洋等日資停止了在韓國投資，全面退出韓國市場。

雖然無恥了點，但對于當時國小民弱的韓國人而言，為建設強大的國家工業體系，似乎所做的一切又都是“高尚”的。

直到今天，韓國人依舊嚴密的保護著本國國內市場。

思密達，思密達的還是思密達的，你的也是思密達的，嘿嘿。

1973年韓國將半導體電子列為六大戰略產業之一，成立國家科學技術委員會和國家投資基金，引導高新技術發展(資金主要來自米國)。

針對韓國產業技術薄弱的狀況，工貿部提出電子零件六年國產化計劃，由國家設置科研機構，培訓半導體工程師，初步形成韓國人在半導體專業人才方面的培養。

1974年曾任職于摩托羅拉的韓裔半導體工程師姜基東回到韓國，與通用電氣合資，成立韓國第一家半導體企業-韓國半導體(Hankook半導體。

三個月后，三星收購了姜基東手里50%的股權。

1978年，韓國電子技術所通過與米國硅谷的公司合資，建造韓國第一條3英寸晶圓生產線比天朝苔彎工研院晚2年。

在1979年生產出，這是韓國人第一次掌握超大規模集成電路VLSI技術。

韓國在米國技術扶持下，DRAM技術取得突破。

韓國人直接從起步，十年時間，韓國人初步建立完整的半導體工業體系。

1980-1985年，韓國人在米國人扶持下，僅僅用了5年時間，快速取得并掌握　DRAM等關鍵技術的研制，一舉超越日本人過去三十年的所有努力。

這一時期，米國人對于韓國人的援助超過300億美金。

韓國三星，關鍵技術來自米國-鎂光科技，關鍵設備也獲得米國人全力扶持。

1984年鎂光科技向韓國三星轉讓量產技術，同時米國西翠克斯(CITRIX)公司向三星轉讓高速處理金屬氧化物MOS的設計技術。

韓國現代后為海力士，1984年米國人將技術轉讓給現代電子。

1985年米國德州儀器向現代轉讓的生產工藝流程，全面提高現代的半導體生產工藝技術。

由此，韓國人開始具有了和日本人競爭的資格了，并完成從追趕天朝人到超越天朝人。

1986-1997年，第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭爆發。

面對日本人的閃電戰，韓國人根本無力抵抗，三星一年虧損高達3億美金。

1986年，英特爾和IBM緊急動員，聯手對三星進行技術和經濟扶植。同時依據《美日半導體協議》對日本人的約束，米國人對韓國人放開米國國內市場，韓國半導體企業迅速在米國國內市場占據30%的DRAM市場份額。

僅僅一年時間，1987年三星實現扭虧為盈，度過最艱難和危險的時刻。

就這一點，日韓半導體戰爭就已經不再是單純的科技戰爭，已經涵蓋政治、軍事、經濟等國家層面的大政方針。

就這一點，DRAM內存已經不僅決定一個國家半導體工業的命運，更決定一個國家能否成為科技大國、強國的命運。

有了米國人的幫助，韓國人獲得了很多東西，技術上獲得　DRAM等核心技術，獲得CMOS生產制程工藝和流程等。

利用《美日半導體協議》獲得戰略縱深，米國人對韓國人開放當時全球最大的消費市場-米國國內市場。

客觀而言，韓國半導體工業發展歷史中，米國人對韓國人的傾力扶持，這一點幾乎是不可以借鑒和復制的。

但是，在整個日韓半導體戰爭中，韓國人在國家策略、科技紅利投入等方面，仍有許多值得龐煖們借鑒的地方。

第一，構建韓國人版本的“官產學”三位一體，殖產興業的財閥制度。

1986年，在米國顧問建議下，韓國政府舉國之力，重金研制DRAM，并將4M　DRAM列為國家項目。

由韓國電子通信研究所(KIST)牽頭，聯合三星、LG、現代和韓國六所大學，一起對4M　DRAM進行技術攻關，目標是到1989年，開發并批量投產4M　DRAM，完全消除與日本人的技術差距。

該項目三年中的研發費用高達到1.1億美金，韓國政府承擔其中57%的投資。由此，韓國人版本的“官產學”一體成型。

在全球半導體工業發展歷史中，依托政府、企業、科研院校力量完成重大國家項目的攻關和突破，無論米國、天朝和日本，韓國人是最為極致的，非常類似于日本明治維新時代的“殖產興業”的財閥制度。

客觀而言，在舉國體制進行重大項目攻關上，韓國人的“殖產興業”財閥制度，其效率是大大優于日本人的“官產學”三位一體，恐怕也只有天朝的新時代天朝特色的能夠相比較。

第二，加大科技紅利之有效研發投入，壓強原則，快速提升壓強系數，對重點項目重點攻關。

從1990年開始韓國三大企業重金投入，建立了完善的趕超日本DRAM產業的研發體系。三星建立26個研發中心，LG建立18個，現代建立14個。

與之對應的是，研究費用成倍投入。

1980年三星在半導體領域的有效研發投入僅有850萬美金，到1994年已經高達9億美金。

在專利技術方面，1989年韓國的專利技術應用有708項。

1994年已經上升到3336項。

科技紅利投入，特別是有效研發投入，使得韓國人僅僅用5年時間，就完成對日本人的追趕。

僅僅用3年時間，就完成對日本人的超越。